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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要(y顶的速度越来越快越叫的原因ào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文顶的速度越来越快越叫的原因称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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