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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波(夜游鸟可以吃吗，夜游鸟吃了有什么好处bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或夜游鸟可以吃吗，夜游鸟吃了有什么好处将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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