大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国10根虫草泡8斤酒合适吗，一斤酒放多少冬虫夏草泡合适企业、各类平(10根虫草泡8斤酒合适吗，一斤酒放多少冬虫夏草泡合适píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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